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NTF3055L175
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
700
600
500
400
V DS = 0 V
C iss
C rss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
7
6
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
300
200
100
0
10
5 V GS 0 V DS 5
10
C iss
C oss
C rss
15
20
25
3
2
1
0
0
1
2
3
4
I D = 2 A
T J = 25 ° C
5
6
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 30 V
I D = 2 A
V GS = 5 V
2
1.6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
t f
t d(off)
1.2
0.8
0.4
1
1
10
100
0
0.6
0.64
0.68
0.72
0.76
0.8
0.84
0.88
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
1
100 m s
10 ms
1 ms
70
60
50
I D = 6 A
40
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
dc
30
20
0.001
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1 10
100
1000
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
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4
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